合封MOSFET 产品与规格书 - 第 6 页 | 超星半导体

面向工业、能源及驱动应用的功率半导体解决方案的领先供应商。

资料下载快捷咨询技术社区 English

HM60N04PDY100 分类：合封MOSFET封装：PDFN5x6

极性: N+N
漏源电压: 40V
连续漏极电流(A): 60A
导通电阻@4.5V
阈值电压(V): 2.7V
起订量: 5000
替代参考: IAUC60N04S6L030H

索取规格书在线询价

申请样品

HM60N04PDX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN5x6

极性: N+N
漏源电压: 40V
连续漏极电流(A): 60A
导通电阻@4.5V
阈值电压(V): 1.6V
起订量: 5000
替代参考: IPG20N04S4L-07A

索取规格书在线询价

申请样品

HM50N04PDX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN5x6

极性: N+N
漏源电压: 40V
连续漏极电流(A): 50A
导通电阻@4.5V
阈值电压(V): 1.8V
起订量: 5000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM30N04PDX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN5x6

极性: N+N
漏源电压: 40V
连续漏极电流(A): 31A
导通电阻@4.5V
阈值电压(V): 1.8V
起订量: 5000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM25N04PBX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN3x3

极性: N+N
漏源电压: 40V
连续漏极电流(A): 25A
导通电阻@4.5V: 19mΩ
阈值电压(V): 1.6V
起订量: 5000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM22N04PBX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN3x3

极性: N+N
漏源电压: 40V
连续漏极电流(A): 22A
导通电阻@4.5V: 10mΩ
阈值电压(V): 1.3V
起订量: 5000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM12N04PBX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN3x3

极性: N+N
漏源电压: 40V
连续漏极电流(A): 12A
导通电阻@4.5V: 17.5mΩ
阈值电压(V): 1.6V
起订量: 5000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM8307X100 分类：合封MOSFET封装：SOT-23-6L

极性: N+N
漏源电压: 30V
连续漏极电流(A): 7A
导通电阻@4.5V: 20mΩ
阈值电压(V): 1.6V
起订量: 3000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

合封MOSFET 参数档位一览

封装

取值	型号数
CSP	4
PDFN3x3	14
PDFN5x6	7
SOP-8	22
SOT-23-6L	11
SOT-363	3
TO-252-4L	7
TSSOP-8	10

极性

取值	型号数
N+N	46
N+P	23
P+P	9

替代参考

取值	型号数
BSO615C G	1
FDS4559	1
IAUC60N04S6L030H	1
IPG20N04S4L-07A	1
IPG20N06S2L	1
IRF7351	2